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文献
J-GLOBAL ID:202002215461128737   整理番号:20A1716351

接合品質を改善するためのPEDOT:PSS/n型Si界面における熱アニール原子層堆積AlO/化学トンネル酸化物スタック層の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlO/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality
著者 (11件):
Karim Md Enamul
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
Nasuno Yuki
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
Kuddus Abdul
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
Ukai Tomofumi
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
Kurosu Shunji
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
Tokuda Masahide
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
Fujii Yasuhiko
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
Hanajiri Tatsuro
(Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan)
Ishikawa Ryo
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
Ueno Keiji
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
Shirai Hajime
(Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 128  号:ページ: 045305-045305-12  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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