文献
J-GLOBAL ID:202002215717537579
整理番号:20A0746799
局所ランダム場戦略によるNaNbO_3ベースの鉛フリーセラミックにおける超高回収エネルギー密度と優れた電荷放電性能の実現【JST・京大機械翻訳】
Realizing ultrahigh recoverable energy density and superior charge-discharge performance in NaNbO3-based lead-free ceramics via a local random field strategy
著者 (7件):
Shi Junpeng
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Chen Xiuli
,
Li Xu
,
Sun Jie
,
Sun Congcong
,
Pang Feihong
,
Zhou Huanfu
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
8
号:
11
ページ:
3784-3794
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)