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文献
J-GLOBAL ID：202002216368874973
整理番号：20A0963965
ART FinFET技術の現状におけるESDデバイスの技術スケーリング【JST・京大機械翻訳】
Technology Scaling of ESD Devices in State of the Art FinFET Technologies
Kim Sukjin
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Sithanandam Radhakrishnan
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Seo Woojin
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Lee Mijin
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Cho Sangyoung
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Park Juho
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Kwon Hyukhoon
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Kim Namho
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
,
Jeon Chanhee
(Samsung Foundry,1-1, Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do,Korea,18448)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： CICC ページ： 1-6 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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