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文献
J-GLOBAL ID：202002216405609198
整理番号：20A0333822
Fe_3Si上のGeの固相エピタクシーのその場透過電子顕微鏡観察【JST・京大機械翻訳】
In situ transmission electron microscopy of solid phase epitaxy of Ge on Fe3Si
Terker M
(Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany)
,
Jenichen B
(Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany)
,
Herfort J
(Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany)
,
Trampert A
(Department of Microstructure, Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, Germany)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 34 号： 12 ページ： 124004 (6pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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