文献
J-GLOBAL ID:202002217032457674
整理番号:20A2648355
厚いGaNエピタキシャル層における結晶欠陥からの信頼性限界【JST・京大機械翻訳】
Reliability limitations from crystal defects in thick GaN epitaxial layers
著者 (1件):
Christou Aris
(Department of Materials Science and Engineering and Mechanical Engineering Department, University of Maryland, College Park, MD 20742, United States of America)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
114
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)