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文献
J-GLOBAL ID：202002217262058741
整理番号：20A0705766
超薄ホウ素ドープダイヤモンドの占有電子構造【JST・京大機械翻訳】
The occupied electronic structure of ultrathin boron doped diamond
Pakpour-Tabrizi A. C.
(London Centre for Nanotechnology, Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, UK)
,
Schenk A. K.
,
Holt A. J. U.
,
Mahatha S. K.
,
Arnold F.
,
Bianchi M.
,
Jackman R. B.
,
Butler J. E.
,
Vikharev A.
,
Miwa J. A.
,
Hofmann P.
,
Cooil S. P.
,
Wells J. W.
,
Mazzola F.
資料名：
Nanoscale Advances
(Nanoscale Advances)
巻： 2 号： 3 ページ： 1358-1364 発行年： 2020年
JST資料番号： W5051A ISSN： 2516-0230 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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