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文献
J-GLOBAL ID：202002217362562202
整理番号：20A0387969
電子ビーム蒸着による光起電力吸収体CuSbSe_2堆積における成長温度の役割【JST・京大機械翻訳】
Role of growth temperature in photovoltaic absorber CuSbSe2 deposition through e-beam evaporation
Goyal Deepak
(Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, Tamil Nadu, 603203, India)
,
Goyal C.P.
(Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, TamilNadu, 603203, India)
,
Goyal C.P.
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan)
,
Goyal C.P.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan)
,
Ikeda H.
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan)
,
Ikeda H.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, 432-8011, Japan)
,
Malar P.
(Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRMIST, Kattankulathur, Tamil Nadu, 603203, India)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 108 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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