文献
J-GLOBAL ID:202002217515360667
整理番号:20A2442892
堆積金属接触によるシリコンオンインシュレータ上の平衡外ボディポテンシャル測定【JST・京大機械翻訳】
Out-of-Equilibrium Body Potential Measurement on Silicon-on-Insulator With Deposited Metal Contacts
著者 (5件):
Alepidis Miltiadis
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble-INP, IMEP-LAHC, Grenoble, France)
,
Bouchard Aude
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble-INP, IMEP-LAHC, Grenoble, France)
,
Delacour Cecile
(Institut Ne ́el, CNRS and Universite ́ Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Bawedin Maryline
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble-INP, IMEP-LAHC, Grenoble, France)
,
Ionica Irina
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble-INP, IMEP-LAHC, Grenoble, France)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
11
ページ:
4582-4586
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)