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文献
J-GLOBAL ID：202002217813195791
整理番号：20A1872489
反応性スパッタリングにより堆積したNiO膜の電気的性質に及ぼす粒界構造とそれらの影響【JST・京大機械翻訳】
Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering
Iwata Tatsuya
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
,
Iwata Tatsuya
(Toyama Prefectural University, Imizu, Toyama, 9390398, Japan)
,
Nishi Yusuke
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 709 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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