文献
J-GLOBAL ID:202002218108310703
整理番号:20A0023479
ZnSnAs2中のMnドープにおけるZn空孔により誘起されたキャリアドーピング効果に関する第一原理理論研究
First-principles theoretical study on carrier doping effects induced by Zn vacancies in Mn-doped in ZnSnAs2
著者 (4件):
KIZAKI Hidetoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIZAKI Hidetoshi
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MORIKAWA Yoshitada
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORIKAWA Yoshitada
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
11
ページ:
110601.1-110601.6
発行年:
2019年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)