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文献
J-GLOBAL ID：202002218421588661
整理番号：20A2258461
SiC中間層と厚い窒化物層を導入することによるGaN HEMTにおけるSi基板の低抵抗率の除去【JST・京大機械翻訳】
Elimination of the Low Resistivity of Si Substrates in GaN HEMTs by Introducing a SiC Intermediate and a Thick Nitride Layer
Bose Arijit
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Biswas Debaleen
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Hishiki Shigeomi
(SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan)
,
Ouchi Sumito
(SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan)
,
Kitahara Koichi
(SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan)
,
Kawamura Keisuke
(SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan)
,
Wakejima Akio
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 41 号： 10 ページ： 1480-1483 発行年： 2020年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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