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文献
J-GLOBAL ID：202002218613546708
整理番号：20A0595194
窒化アルミニウムと3C-SiCバッファ層を用いた微斜面Si(001)基板上に成長させた半極性窒化ガリウム層における転位反応【JST・京大機械翻訳】
Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C-SiC Buffer Layers
Sorokin L. M.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Gutkin M. Yu.
(Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Gutkin M. Yu.
(“ITMO University”, St. Petersburg, Russia)
,
Gutkin M. Yu.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia)
,
Myasoedov A. V.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Kalmykov A. E.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Bessolov V. N.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Kukushkin S. A.
(“ITMO University”, St. Petersburg, Russia)
資料名：
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻： 61 号： 12 ページ： 2316-2320 発行年： 2019年
JST資料番号： W0823A ISSN： 1063-7834 CODEN： PSOSED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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