文献
J-GLOBAL ID:202002218823807618
整理番号:20A0288339
Ramanスペクトルを用いた広バンドギャップ窒素空格子点ダイヤモンド/Siヘテロ構造における電子輸送特性【JST・京大機械翻訳】
The electronic transport characteristics in wide band-gap nitrogen vacancy diamond/Si hetero-structure using Raman spectrum
著者 (3件):
Ren Ren
(Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China)
,
Li Xuan
(Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China)
,
Yunwen J.Y.
(Department of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xian 710049, China)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
532
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)