文献
J-GLOBAL ID:202002219184847339
整理番号:20A2635149
熱画像法によるSi技術板中の非平衡電荷キャリアの再結合パラメータの研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Recombination Parameters of Nonequilibrium Charge Carriers in Si Technological Plates by Thermal Imaging Method
著者 (1件):
Chyrchyk S. V.
(Mykhailo Boichuk Kyiv State Academy of Decorative-Applied Arts and Design, Kyiv, Ukraine)
資料名:
Radioelectronics and Communications Systems
(Radioelectronics and Communications Systems)
巻:
63
号:
9
ページ:
488-496
発行年:
2020年
JST資料番号:
W4886A
ISSN:
0735-2727
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)