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文献
J-GLOBAL ID：202002219184847339
整理番号：20A2635149
熱画像法によるSi技術板中の非平衡電荷キャリアの再結合パラメータの研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Recombination Parameters of Nonequilibrium Charge Carriers in Si Technological Plates by Thermal Imaging Method
Chyrchyk S. V.
(Mykhailo Boichuk Kyiv State Academy of Decorative-Applied Arts and Design, Kyiv, Ukraine)
資料名：
Radioelectronics and Communications Systems
(Radioelectronics and Communications Systems)
巻： 63 号： 9 ページ： 488-496 発行年： 2020年
JST資料番号： W4886A ISSN： 0735-2727 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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