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文献
J-GLOBAL ID：202002219439911624
整理番号：20A2648309
EモードGaN-HEMT上の逆電流伝導応力下のゲート閾値電圧不安定性とオン抵抗劣化【JST・京大機械翻訳】
Gate threshold voltage instability and on-resistance degradation under reverse current conduction stress on E-mode GaN-HEMTs
Nakayama T.
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Mannen T.
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Nakajima A.
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Isobe T.
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 114 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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