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文献
J-GLOBAL ID：202002219628140537
整理番号：20A1235639
In(acac)3前駆体を用いた溶液プロセスにより形成されたIn2O3およびITO薄膜の電気特性
Electrical properties of In2O3 and ITO thin films formed by solution process using In(acac)3 precursors
Jain Puneet
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
,
Nakabayashi Yuji
(Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
,
Haga Ken-ichi
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
,
Tokumitsu Eisuke
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： SC ページ： SCCB12 (6pp) 発行年： 2020年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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