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文献
J-GLOBAL ID:202002219628140537   整理番号:20A1235639

In(acac)3前駆体を用いた溶液プロセスにより形成されたIn2O3およびITO薄膜の電気特性

Electrical properties of In2O3 and ITO thin films formed by solution process using In(acac)3 precursors
著者 (4件):
Jain Puneet
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
Nakabayashi Yuji
(Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
Haga Ken-ichi
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)
Tokumitsu Eisuke
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 59  号: SC  ページ: SCCB12 (6pp)  発行年: 2020年02月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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