文献
J-GLOBAL ID:202002220241797924
整理番号:20A0288372
温度プロファイルと過冷却の同時測定による2つのシリコンシードの凝固界面と粒界発達のその場観察【JST・京大機械翻訳】
In situ observation of the solidification interface and grain boundary development of two silicon seeds with simultaneous measurement of temperature profile and undercooling
著者 (4件):
Lau Victor
(National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Rd, Da’an District, Taipei 10617, Taiwan)
,
Maeda Kensaku
(Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Fujiwara Kozo
(Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Lan Chung-wen
(National Taiwan University, No. 1, Section 4, Roosevelt Rd, Da’an District, Taipei 10617, Taiwan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
532
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)