文献
J-GLOBAL ID:202002220549651561
整理番号:20A1061796
高温機能性電子デバイス用のバイプレーナエピタキシャルAlN/SiC/(n,p)SiC構造【JST・京大機械翻訳】
Biplanar Epitaxial AlN/SiC/(n, p)SiC Structures for High-Temperature Functional Electronic Devices
著者 (5件):
Panyutin E. A.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Sharofidinov Sh. Sh.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Orlova T. A.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Snytkina S. A.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Lebedev A. A.
(Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名:
Technical Physics
(Technical Physics)
巻:
65
号:
3
ページ:
428-433
発行年:
2020年
JST資料番号:
E0952A
ISSN:
1063-7842
CODEN:
TEPHEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)