文献
J-GLOBAL ID:202002221015157202
整理番号:20A1086097
モノニトリド半導体における高電子移動度,制御可能な磁性および異常光吸収【JST・京大機械翻訳】
High electron mobility, controllable magnetism and anomalous light absorption in a monolayered tin mononitride semiconductor
著者 (2件):
Zhang Shuqing
(A Shenzhen Geim Graphene Center (SGC), Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI) & Tsinghua Shenzhen International Graduate School (TSIGS), Tsinghua University, Shenzhen 518055, China. xlzou@sz.tsinghua.edu.cn)
,
Zou Xiaolong
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
8
号:
19
ページ:
6396-6402
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)