文献
J-GLOBAL ID:202002222012022423
整理番号:20A0705743
パルスレーザ蒸着により作製した層状SnSe膜に基づく二重モード電子シナプス【JST・京大機械翻訳】
A dual mode electronic synapse based on layered SnSe films fabricated by pulsed laser deposition
著者 (9件):
Chen Xinxin
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong. jiyan.dai@polyu.edu.hk)
,
Suen Chun-Hung
,
Yau Hei-Man
,
Zhou Feichi
,
Chai Yang
,
Tang Xiaodan
,
Zhou Xiaoyuan
,
Onofrio Nicolas
,
Dai Ji-Yan
資料名:
Nanoscale Advances
(Nanoscale Advances)
巻:
2
号:
3
ページ:
1152-1160
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5051A
ISSN:
2516-0230
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)