文献
J-GLOBAL ID:202002222738956300
整理番号:20A0220059
GaAsベースの大面積ダイオードレーザにおける高出力のためのアプローチ【JST・京大機械翻訳】
Approaches for higher power in GaAs-based broad area diode lasers
著者 (8件):
Arslan S.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Erbert G.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Boni A.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Wilkens M.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Maasdorf A.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Fricke J.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Ginolas A.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
,
Crump P.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Stras&e 4,Berlin,Germany,12489)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
HPD
ページ:
51-52
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)