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文献
J-GLOBAL ID：202002223633582821
整理番号：20A0885220
強磁性体-半導体横スピンバルブ素子における室温までの逆局所磁気抵抗効果【JST・京大機械翻訳】
Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices
Naito Takahiro
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Yamada Michihiro
(Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Yamada Shinya
(Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Yamada Shinya
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Kanashima Takeshi
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Sawano Kentarou
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Setagaya, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Hamaya Kohei
(Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Hamaya Kohei
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 113 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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