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文献
J-GLOBAL ID：202002224180014364
整理番号：20A0030856
GaAs/InGaAsステップ非対称量子井戸におけるテラヘルツサブバンド間Raman利得に及ぼす伝導帯非放物線性の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of conduction-band non-parabolicity on terahertz intersubband Raman gain in GaAs/InGaAs step asymmetric quantum wells
Tiutiunnyk A.
(Instituto de Alta Investigacion, CEDENNA, Universidad de Tarapaca, Arica, Chile)
,
Perez-Quintana I.
(Facultad de Ingenierias, Universidad Autonoma de Yucatan, Merida, Yucatan, Mexico)
,
Laroze D.
(Instituto de Alta Investigacion, CEDENNA, Universidad de Tarapaca, Arica, Chile)
,
Duque C. A.
(Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Medellin, Colombia)
,
Mora-Ramos M. E.
(Centro de Investigacion en Ciencias-IICBA, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Cuernavaca, Morelos, Mexico)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126 号： 1 ページ： 1-8 発行年： 2020年
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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