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文献
J-GLOBAL ID：202002224272299900
整理番号：20A0032456
二重および三重ゲートトンネル電界効果トランジスタに及ぼすポケット固有ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Pocket Intrinsic Doping on Double and Triple Gate Tunnel Field Effect Transistors
Dutta Ritam
(Department of Electronics and Communication Engineering, Surendra Institute of Engineering and Management, Maulana Abul Kalam Azad University of Technology, West Bengal, India)
,
Paitya Nitai
(Department of Electronics and Communication Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Sikkim, India)
資料名：
Lecture Notes in Electrical Engineering
(Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 602 ページ： 249-258 発行年： 2020年
JST資料番号： W5070A ISSN： 1876-1100 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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