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文献
J-GLOBAL ID：202002224345474251
整理番号：20A0265115
重イオン照射したZnOにおける光ルミネセンスと欠陥相互作用に対するアニーリングの効果:イオン線量の重要な役割【JST・京大機械翻訳】
Effects of annealing on photoluminescence and defect interplay in ZnO bombarded by heavy ions: Crucial role of the ion dose
Azarov Alexander
(Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
,
Galeckas Augustinas
(Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
,
Mieszczynski Cyprian
(NOMATEN Centre of Excellence, National Centre for Nuclear Research, A. Soltana 7, 05-400 Otwock-Swierk, Poland)
,
Hallen Anders
(Royal Institute of Technology, KTH-EECS, Electrum 229, SE-164 40 Stockholm, Sweden)
,
Kuznetsov Andrej
(Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 127 号： 2 ページ： 025701-025701-7 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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