文献
J-GLOBAL ID:202002224869531886
整理番号:20A2088168
Σ=100nmのゲート長を持つ電界効果トランジスタにおけるドレインゲートI-V特性の非線形性の補償【JST・京大機械翻訳】
Compensation for the Nonlinearity of the Drain-Gate I-V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of 100 nm
著者 (7件):
Tarasova E. A.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Obolensky S. V.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Khazanova S. V.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Grigoryeva N. N.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Golikov O. L.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Ivanov A. B.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Puzanov A. S.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
54
号:
9
ページ:
1155-1160
発行年:
2020年
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)