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文献
J-GLOBAL ID：202002225317844297
整理番号：20A2035759
高速繰返し過渡応力下のAlGaN/GaN HEMTにおけるSOA境界の時間依存シフトとエピスタックの初期破壊【JST・京大機械翻訳】
Time Dependent Shift in SOA Boundary and Early Breakdown of Epi-Stack in AlGaN/ GaN HEMTs Under Fast Cyclic Transient Stress
Shankar Bhawani
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Shikha Swati
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Singh Anant
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Kumar Jeevesh
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Soni Ankit
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Dutta Gupta Sayak
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Raghavan Srinivasan
(Center for Nanoscience and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
,
Shrivastava Mayank
(Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 20 号： 3 ページ： 562-569 発行年： 2020年
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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