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文献
J-GLOBAL ID：202002225547001128
整理番号：20A1317875
水素化物気相エピタクシーにより作製したInGaPに及ぼす成長中断の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of growth interruption on InGaP fabricated via hydride vapor phase epitaxy
Shoji Yasushi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Oshima Ryuji
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Makita Kikuo
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Ubukata Akinori
(Taiyo Nippon Sanso Corporation, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Sugaya Takeyoshi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 544 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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