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文献
J-GLOBAL ID：202002225780460503
整理番号：20A2575581
GaNのSiドーピング限界の結合赤外反射率とRaman分光分析【JST・京大機械翻訳】
Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN
Ma Bei
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan)
,
Tang Mingchuan
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan)
,
Ueno Kohei
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan)
,
Kobayashi Atsushi
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan)
,
Morita Ken
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan)
,
Fujioka Hiroshi
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku 153-8505, Japan)
,
Ishitani Yoshihiro
(Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-30 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 19 ページ： 192103-192103-6 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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