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文献
J-GLOBAL ID：202002225995820093
整理番号：20A2662859
AlN/GaNヘテロ構造IMPATTおよびMITATTダイオードの大信号性能の最適設計【JST・京大機械翻訳】
Optimal Design of Large Signal Performance of AlN/GaN Hetero-Structural IMPATT and MITATT Diodes
Wu Ping
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
Wei Wen Sheng
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
Zheng Jun Ding
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
Yang Wei Bo
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
Li Chang
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
He Ming Chang
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
,
Wan Yi
(Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 1014 ページ： 157-162 発行年： 2020年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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