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文献
J-GLOBAL ID：202002226318472445
整理番号：20A2553475
SiC MOSFETモジュールのゲートドライバ集積接合温度推定【JST・京大機械翻訳】
Gate-Driver Integrated Junction Temperature Estimation of SiC MOSFET Modules
Mocevic Slavko
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061)
,
Mitrovic Vladimir
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061)
,
Wang Jun
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061)
,
Burgos Rolando
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061)
,
Boroyevich Dushan
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061)
,
Jaksic Marko
(General Motors Global Propulsion Systems,Pontiac,MI,USA,48340)
,
Teimor Mehrdad
(General Motors Global Propulsion Systems,Pontiac,MI,USA,48340)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： ECCE ページ： 3761-3768 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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