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文献
J-GLOBAL ID：202002226456862647
整理番号：20A2245511
ラジカル増強MOCVD(REMOCVD)で成長させたホモエピタキシャルGaNの結晶品質に及ぼすチェンバ圧力の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of chamber pressure on the crystal quality of homo-epitaxial GaN grown by radical-enhanced MOCVD (REMOCVD)
Amalraj Frank Wilson
(Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Shimizu Naohiro
(Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Oda Osamu
(Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Ishikawa Kenji
(Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Hori Masaru
(Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 549 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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