文献
J-GLOBAL ID:202002227843245115
整理番号:20A0472326
CuIを用いたRu基板上のCuの低圧化学蒸着:ab initio計算【JST・京大機械翻訳】
Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru substrate using CuI: Abinitio calculations
著者 (2件):
Joutsuka Tatsuya
(Institute of Quantum Beam Science, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, 316-8511 Ibaraki, Japan)
,
Yamauchi Satoshi
(Institute of Quantum Beam Science, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, 316-8511 Ibaraki, Japan)
資料名:
Chemical Physics Letters
(Chemical Physics Letters)
巻:
741
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0824A
ISSN:
0009-2614
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)