文献
J-GLOBAL ID:202002227952666384
整理番号:20A2293238
自己組織化エピタキシャル成長InAs表面量子ドットの成長速度論に及ぼす垂直誘起歪の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of vertical induced strain on growth kinetics of self-assembled epitaxially grown InAs surface quantum dots
著者 (6件):
Mantri Manas R.
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
,
Panda Debiprasad
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
,
Das Debabrata
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
,
Kumar Ravinder
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
,
Gazi Sanowar Alam
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
,
Chakrabarti Subhananda
(Indian Institute of Technology Bombay (India))
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
11465
ページ:
114651C-7
発行年:
2020年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)