文献
J-GLOBAL ID:202002228012359609
整理番号:20A0420247
半導体ナノワイヤの面内および面外成長領域のモデル【JST・京大機械翻訳】
The model for in-plane and out-of-plane growth regimes of semiconductor nanowires
著者 (4件):
Berdnikov Y
(ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia)
,
Sibirev N V
(ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia)
,
Reznik R R
(ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia)
,
Redkov A V
(ITMO university, St. Petersburg, 197101, Russia)
資料名:
Journal of Physics: Conference Series
(Journal of Physics: Conference Series)
巻:
1410
号:
1
ページ:
012049 (6pp)
発行年:
2019年
JST資料番号:
W5565A
ISSN:
1742-6588
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)