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文献
J-GLOBAL ID：202002228268442919
整理番号：20A0916308
サファイア結晶の異方性ウェットエッチング速度の計算のための原子構造法【JST・京大機械翻訳】
Atomic Structure Method for the Calculation of Anisotropic Wet Etching Rate of Sapphire Crystal
Wu Guorong
(Jiangsu Key Laboratory for Design and Manufacture of Micro-Nano Biomedical Instruments, Southeast University,Department of Mechanical Engineering,Nanjing,China)
,
Xing Yan
(Jiangsu Key Laboratory for Design and Manufacture of Micro-Nano Biomedical Instruments, Southeast University,Department of Mechanical Engineering,Nanjing,China)
,
Fang Chen
(Jiangsu Key Laboratory for Design and Manufacture of Micro-Nano Biomedical Instruments, Southeast University,Department of Mechanical Engineering,Nanjing,China)
,
Yao Jiabao
(Jiangsu Key Laboratory for Design and Manufacture of Micro-Nano Biomedical Instruments, Southeast University,Department of Mechanical Engineering,Nanjing,China)
,
Lin Xiaohui
(Jiangsu Key Laboratory for Design and Manufacture of Micro-Nano Biomedical Instruments, Southeast University,Department of Mechanical Engineering,Nanjing,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： MEMS ページ： 913-916 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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