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文献
J-GLOBAL ID：202002228441080704
整理番号：20A2268682
SiO_2とAl_2O_3/SiO_2ゲート誘電体を有するp型SnO薄膜トランジスタのゲート誘起電気的不安定性に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】
Comparative Study on the Gate-Induced Electrical Instability of p-Type SnO Thin-Film Transistors with SiO2 and Al2O3/SiO2 Gate Dielectrics
Jang Younjin
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Kim Jun Shik
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Kang Sukin
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Kim Jihun
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Lee Yonghee
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Kim Kwangmin
(Graduate School of Engineering Practice, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Kim Whayoung
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Choi Heenang
(Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea)
,
Kim Nayeon
(Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea)
,
Eom Taeyong
(Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea)
,
Chung Taek-Mo
(Thin Film Materials Research Center, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea)
,
Jeon Woojin
(Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Republic of Korea)
,
Lee Sang Yoon
(Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
,
Hwang Cheol Seong
(Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名：
Physica Status Solidi. Rapid Research Letters
(Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 14 号： 10 ページ： e2000304 発行年： 2020年
JST資料番号： W1880A ISSN： 1862-6254 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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