文献
J-GLOBAL ID:202002228504219338
整理番号:20A0033515
垂直ゲートオールアラウンド金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタのためのサブ20nm Si円筒状nanopillの作製中の分散低減【JST・京大機械翻訳】
Variance Reduction during the Fabrication of Sub-20 nm Si Cylindrical Nanopillars for Vertical Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (4件):
Ye Shujun
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University)
,
Yamabe Kikuo
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University)
,
Endoh Tetsuo
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University)
,
Endoh Tetsuo
(Graduate School of Engineering, Tohoku University)
資料名:
ACS Omega
(ACS Omega)
巻:
4
号:
25
ページ:
21115-21121
発行年:
2019年
JST資料番号:
W5044A
ISSN:
2470-1343
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)