文献
J-GLOBAL ID:202002228540014688
整理番号:20A0905279
増強モード電流開口垂直Ga_2O_3MOSFET【JST・京大機械翻訳】
Enhancement-Mode Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs
著者 (4件):
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei,Tokyo,Japan,184-8795)
,
Murakami Hisashi
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei,Tokyo,Japan,184-8588)
,
Kumagai Yoshinao
(Tokyo University of Agriculture and Technology,Department of Applied Chemistry,Koganei,Tokyo,Japan,184-8588)
,
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology,Koganei,Tokyo,Japan,184-8795)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
DRC
ページ:
225-226
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)