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文献
J-GLOBAL ID：202002228707641112
整理番号：20A0363861
結晶シリコン基板上の酸化アルミニウム不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリングの影響
Effect of post-deposition annealing on electrical properties and structures of aluminum oxide passivation film on a crystalline silicon substrate
ARAFUNE Koji
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KITANO Sho
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
YOSHIDA Haruhiko
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
OGURA Atsushi
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
HOTTA Yasushi
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 12 ページ： 125502.1-125502.5 発行年： 2019年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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