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文献
J-GLOBAL ID：202002229145686987
整理番号：20A0199037
高品質n型Ohm接触を実現するためのAl/n-GaN障壁特性への洞察【JST・京大機械翻訳】
Insight into the Al/N-GaN barrier property to realize high quality n-type Ohmic contact
Wang Ting
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
,
Xiong Zhihua
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
,
Zhao Juanli
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
,
Wu Ning
(Beijing National Center for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
,
Wu Ning
(School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
,
Du Kun
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
,
Zhou Mingbin
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
,
Ao Lei
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, 330018, China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 818 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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