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文献
J-GLOBAL ID：202002229225102624
整理番号：20A1002890
NiGeSn接触を持つ垂直ヘテロ接合Ge_0.92Sn_0.08/Geゲートオールアラウンド・ナノワイヤpMOSFET【JST・京大機械翻訳】
Vertical heterojunction Ge0.92Sn0.08/Ge gate-all-around nanowire pMOSFETs with NiGeSn contact
Liu Mingshan
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
,
Mertens Konstantin
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
,
von den Driesch Nils
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
,
von den Driesch Nils
(JARA-Institute Green IT, RWTH Aachen University, Aachen 52074, Germany)
,
Schlykow Viktoria
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
,
Grap Thomas
(School of Electrical Engineering, RWTH Aachen University, Aachen 52074, Germany)
,
Lentz Florian
(Helmholtz Nano Facility (HNF), Juelich 52428, Germany)
,
Trellenkamp Stefan
(Helmholtz Nano Facility (HNF), Juelich 52428, Germany)
,
Hartmann Jean-Michel
(CEA, LETI and Univ. Grenoble Alpes, Grenoble F-38054, France)
,
Knoch Joachim
(School of Electrical Engineering, RWTH Aachen University, Aachen 52074, Germany)
,
Buca Dan
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
,
Zhao Qing-Tai
(Peter-Gruenberg-Institute (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52428, Germany)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 168 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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