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文献
J-GLOBAL ID：202002229340580784
整理番号：20A1006114
シード支援シリコンにおける欠陥増殖に及ぼす界面での温度勾配の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of temperature gradient at interface on defect multiplication in seed-assisted multicrystalline silicon
Zhang Zhiqiang
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
,
Yuan Shuai
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
,
Yu Xuegong
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
,
Zhu Xiaodong
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
,
Yang Deren
(State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Material Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 211 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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