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J-GLOBAL ID：202002229458228040 整理番号：20A1916510

デバイス動作温度でのフラットバンド電位モニタリングによる窒化けい素中のナトリウムイオン移動の定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantification of Sodium-Ion Migration in Silicon Nitride by Flatband-Potential Monitoring at Device-Operating Temperatures

著者 (8件)：

von Gastrow Guillaume

(Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)

Martinez-Loran Erick

(Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)

Scharf Jonathan

(Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)

Clenney Jacob

(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA)

Meier Rico

(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA)

Bandaru Prabhakar

(Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)

Bertoni Mariana I.

(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA)

Fenning David P.

(Department of Nanoengineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)

資料名：

Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻： 217 号： 16 ページ： e2000212 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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