文献
J-GLOBAL ID:202002229674280379
整理番号:20A0874664
異なるバイアス条件下での薄いSiチャネル逆強化(Be)SOI pMOSFET光検出器【JST・京大機械翻訳】
Thin Si channel Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET Photodetector under different bias conditions
著者 (4件):
Padovese J.A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Rangel R.C.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Sasaki K.R.A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
,
Martino J.A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
1-4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)