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文献
J-GLOBAL ID：202002229713407845
整理番号：20A1318978
Zn層挿入によるGaドープZnO膜の電気抵抗率低減と空間的均質化【JST・京大機械翻訳】
Electrical resistivity reduction and spatial homogenization of Ga-doped ZnO film by Zn layer insertion
Yamada Yasuji
(Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
,
Sancakoglu Orkut
(Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
,
Sancakoglu Orkut
(Metallurgical and Materials Engineering, Dokuz Eylul University 35160 Buca, Izmir, Turkey)
,
Sugiura Rei
(Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
,
Shoriki Motonari
(Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
,
Funaki Shuhei
(Physics and Materials Science, Shimane University 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8405, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 707 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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