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文献
J-GLOBAL ID：202002230063198998
整理番号：20A0334781
MOS_2電界効果トランジスタの構造特性と電気特性に及ぼすElectron照射効果【JST・京大機械翻訳】
Electron radiation effects on the structural and electrical properties of MoS2 field effect transistors
Li Heyi
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Liu Chaoming
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Liu Chaoming
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Zhang Yanqing
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Qi Chunhua
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Wei Yidan
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Wei Yidan
(Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, D-01328, Germany)
,
Zhou Jiaming
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Wang Tianqi
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Ma Guoliang
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Tsai Hsu-Sheng
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Tsai Hsu-Sheng
(Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, D-01328, Germany)
,
Dong Shangli
(School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
,
Huo Mingxue
(Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, People’s Republic of China)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 30 号： 48 ページ： 485201 (7pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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