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文献
J-GLOBAL ID：202002230579796384
整理番号：20A0883218
RFマグネトロンスパッタリングにより作製したインジウムドープZnOホモ接合の特性評価とデバイス応用【JST・京大機械翻訳】
Characterization and device application of indium doped ZnO homojunction prepared by RF magnetron sputtering
Shaheera M.
(Research Department of Physics, Government Victoria College, Palakkad, University of Calicut, Kerala, 678001, India)
,
Girija K.G.
(Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
,
Kaur Manmeet
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
,
Geetha V.
(Research Department of Physics, Government Victoria College, Palakkad, University of Calicut, Kerala, 678001, India)
,
Debnath A.K.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
,
Vatsa R.K.
(Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
,
Muthe K.P.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
,
Gadkari S.C.
(Technical Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai, 400094, India)
資料名：
Optical Materials
(Optical Materials)
巻： 101 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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