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文献
J-GLOBAL ID：202002230666125022
整理番号：20A0528273
シリコン(111)上に成長させたCaF_2薄膜の金属バンド構造 CaSi_2の可能な形成【JST・京大機械翻訳】
Metallic band structure of CaF2 thin films grown on silicon(111): Possible formation of CaSi2
Takahashi Yuzuru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
,
Ichinokura Satoru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
,
Shimizu Ryota
(Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
,
Shiraki Susumu
(Department of Applied Chemistry, Nippon Institute of Technology, Saitama 345-8501, Japan)
,
Hitosugi Taro
(Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
,
Hirahara Toru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 509 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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