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J-GLOBAL ID:202002230666125022   整理番号:20A0528273

シリコン(111)上に成長させたCaF_2薄膜の金属バンド構造 CaSi_2の可能な形成【JST・京大機械翻訳】

Metallic band structure of CaF2 thin films grown on silicon(111): Possible formation of CaSi2
著者 (6件):
Takahashi Yuzuru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
Ichinokura Satoru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
Shimizu Ryota
(Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
Shiraki Susumu
(Department of Applied Chemistry, Nippon Institute of Technology, Saitama 345-8501, Japan)
Hitosugi Taro
(Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
Hirahara Toru
(Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 509  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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