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文献
J-GLOBAL ID：202002230753798542
整理番号：20A0284212
Mg拡散による低ゲート漏れを持つノーマリオフAlGaN/GaN HEMTを作製するための高効率法【JST・京大機械翻訳】
A highly efficient method to fabricate normally-off AlGaN/GaN HEMTs with low gate leakage via Mg diffusion
Wan Lijun
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Sun Peiye
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Liu Xinyao
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Chen Dingbo
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Que Xianfeng
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Yao Shunan
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Li Guoqiang
(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 116 号： 2 ページ： 023504-023504-4 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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